| ホト工程 | デポジション | ドライエッチ | バルク加工 | ウエハ接合 | 評価装置 |
1) ホト工程

- 5X Stepper:
0.8 μm resolution、overlay
control < 0.2 μm
- 1X Mask Aligner: :
- 両面 Aligner
1 μm overlay control for single side alignment
2 μm overlay control for double side alignment
- Track coating system
- Track developing system
- Coating and developing system:Double
side coating and developing
2) MEMS対応薄膜デポ:
- Sputtering:: Al, Ta, TaN, Ta2O5,
Ti, TiN, Cu, TaAl, AlCuSi, AlCu
- E-Gun Deposition:Cr, Au,
Pt
- PECVD, APCVD:SiC; SiN; SiO2; BPSG
- Furnace:SiN; SiO2; Poly; Doped Poly
3) ドライエッチング工程
- Deep Si Etcher (ICP Etcher)
- Metal Etcher
- Poly Si Etcher
- Oxide/SiNx Etcher
- Plasma Asher
4) バルクMEMS対応

- 両面アライナー (2 μm overlay
accuracy)
-ICP 高速エッチャ−(20 から数 100μm)、垂直形状可
KOH (time-mode or auto etch-stop by electro-chemical or P+)
- Through wafer interconnection module
- KOH, PHF, DHF 用のウエットベンチ
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5) ウエハ接合


-シリコンとガラスのどのような貼り合わせせも可能
-基盤厚みは4mmまで可
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6) 工程評価装置:

- In-line CD SEM
- Alpha-Step Profiler
- Membrane Thickness Measurement
- Surfscan
- Defect Reviewer
- FTIR
- Al Thickness Measurement
- Four Point Probe
- Wafer Stress Analyzer
- Therma-Wave Implant Damage Analyzer
- Nanometrics Dielectric Thickness Measurement
- SPV Furnace Impurity Analyzer
- Rudolph Ellipsometer
- Semiconductor CV Plotter
- Top-side Microscope
- Double-side Microscope
- Cross-sectional SEM
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