= 2インチや異型の基板から最大8インチのMEMSラインのネットワークによりあらゆるご要望に対応。
= 1枚からの露光、エッチング受託加工、成膜サービス等もお気軽にご相談ください。
= MEMSの設計、開発から量産、組み立てまでかつ1枚から多量まで対応。
= 本格的なMEMS専用ラインでのファンドリーサービスです。
6インチラインプロセス工程紹介
ホト工程 デポジション ドライエッチ バルク加工 ウエハ接合 評価装置



お見積り
 
−お見積りは個別に対応させていただいております。 お問い合わせ



6インチライン紹介
−本格的なMEMS用専用6インチラインです
。−

1) ホト工程


- 5X Stepper:
 0.8 μm resolutionoverlay control < 0.2 μm

- 1X Mask Aligner:
 3 μm resolution for single side exposure

- 両面 Aligner
 1 μm overlay control for single side alignment
 2 μm overlay control for double side alignment

- Track coating system

- Track developing system

- Coating and developing systemDouble side coating and developing

  
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2) MEMS対応薄膜デポ:

- Sputtering: Al, Ta, TaN, Ta2O5, Ti, TiN, Cu, TaAl, AlCuSi, AlCu 

- E-Gun DepositionCr, Au, Pt

- PECVD, APCVDSiC; SiN; SiO2; BPSG

- FurnaceSiN; SiO2; Poly; Doped Poly

 
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3) ドライエッチング工程

- Deep Si Etcher (ICP Etcher)

- Metal Etcher

- Poly Si Etcher

- Oxide/SiNx Etcher

- Plasma Asher

 

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4)
 バルクMEMS対応

- 両面アライナー (2 μm overlay accuracy)

-ICP 高速エッチャ−(20 から数 100μm)、垂直形状可


- 表面および裏面からのウエットエッチ:
KOH (time-mode or auto etch-stop by electro-chemical or P+)

- Through wafer interconnection module

- KOH, PHF, DHF 用のウエットベンチ

 

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5)  ウエハ接合



-シリコンとガラスのどのような貼り合わせせも可能

-基盤厚みは4mmまで可



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6)
 工程評価装置:

- In-line CD SEM

- Alpha-Step Profiler

- Membrane Thickness Measurement

- Surfscan

- Defect Reviewer

- FTIR

- Al Thickness Measurement

- Four Point Probe

- Wafer Stress Analyzer

- Therma-Wave Implant Damage Analyzer

- Nanometrics Dielectric Thickness Measurement

- SPV Furnace Impurity Analyzer

- Rudolph Ellipsometer

- Semiconductor CV Plotter

- Top-side Microscope

- Double-side Microscope

- Cross-sectional SEM


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お問い合わせ


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JMEMS
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